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高磁場型霍爾效應測試系統(tǒng) 技術(shù)指標

更新時間:2023-01-30 點擊量:1013

產(chǎn)品概述:

本儀器系統(tǒng)由:電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10效應儀將恒流源,六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體,大大減化了實驗的連線與操作。JH10可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的,因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性*的工具。 實驗結(jié)果由軟件自動計算得到,可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall

Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。

此處只列出系統(tǒng)的主要技術(shù)指標。

可測試材料: ?

半導體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等;? 低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等;

        高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等

技術(shù)指標:

* 磁 場:10mm 間距為 2T 20mm 間距為 1.3T

* 樣品電流:0.05uA~50mA(調(diào)節(jié) 0.1nA)

* 測量電壓:0.1uV~30V ▲ 提供各類測試標準材料,各級別硅與砷化鎵(靈敏度與精度不同)

* 小分辨率:0.1GS

* 磁場范圍:0-1T

* 配合高斯計或數(shù)采板可計算機通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

* 霍爾系數(shù)、載流子濃度等參數(shù)的變化曲線

* 電阻率范圍:10-7 ~1012 Ohm*cm

* 電阻范圍:10 m Ohms~ 6MOhms

* 載流子濃度:103 ~1023 cm -3

* 遷移率:0.1~108 cm 2 /volt*sec

*測試全自動化,一鍵處理

高精度電磁鐵:

極頭直徑 100mm;

N,S 間距 10mm 時大磁場 20000Gs;

N,S 間距 20mm 時大 13000 高斯;

N, S 間距 30mm 時大磁場 10000 高斯;

均勻區(qū):間距 60mm 時直徑 10mm 均勻度范圍;1%

自重 210 公斤; 含支架及輪子

高精度高斯計:

精度:讀數(shù)的±0.30%

分辨力:0.01mT 量程:0-3T

探頭厚度:1.0mm

長度 100mm 數(shù)字

Rs-232 接口數(shù)據(jù)讀取軟件配 GF-80探頭

高精度雙極性恒流電源輸出:±10A±40V 功率;400W

① 電源輸出電流可在正負額定大電流之間連續(xù)變化

② 電流可以平滑過零點,非開關(guān)換向

③ 輸出電流、電壓四象限工作(適合感性負載)

④ 電流變化速率可設(shè)置范圍為 0.0007~0.3 F.S./s(F.S.為額定大輸出電流)

※ 電流穩(wěn)定度高,紋波低

①電流穩(wěn)定度:優(yōu)于±25ppm/h(標準型);優(yōu) 于±5ppm/h(高穩(wěn)型) ② 電流準確度:±(0.01%設(shè)定值+1mA) ③ 電流分辨率:20 bit,例 15A 電源,電流分辨率為 0.03mA

④ 源效應:≤ 2.0×10-5 F.S.(在供電電壓變化 10%時,輸出電流變化量)

⑤ 負載效應:≤ 2.0×10-5 F.S.(在負載變化 10%時,輸出電流變化量)

⑥ 電流紋波(RMS):小于 1mA

高精度高斯計:

高斯計探頭支架及樣品架 全鋁非導磁支架 5-70mm 可調(diào);

樣品架夾具(按要求定制);

霍爾效應系統(tǒng)軟件:可數(shù)字化調(diào)節(jié)磁場及電流,測試各類材料參數(shù),

恒流源及測試表:

恒流源量程:±50nA-±50mA;

分辨力 0.1nA 在量程范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào);

高精度電壓數(shù)采儀范圍 0. 1uV-30V

精度:0.01%

內(nèi)置測試矩陣轉(zhuǎn)換卡; 7 1 歐姆接觸套件 根據(jù)不同材料的歐姆接觸制作套件



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