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錦正茂一維亥姆霍茲線圈 的技術參數

更新時間:2023-01-30 點擊量:849


產品概述:

錦正茂一維亥姆霍茲線圈 典型的單軸亥姆霍茲線圈是具有相同線圈匝數,相同線圈繞制方式,線圈半徑等于線圈間距的兩個線圈組成的。亥姆霍茲線圈一般用來產生體積比較大、均勻度比較高, 但磁場值比較弱的磁場。用戶可以利用這個磁場來完成各種實驗,亥姆霍茲線圈可根據不同的應用產生靜態(tài)DC或AC磁場。
  主要用途:地球磁場的抵消、判定磁屏蔽效應、電子設備的磁化系數、磁通門計和航海設備的校準、生物磁場的研究及與磁通計配合使用檢測永磁體特性。適用于各研究所,高等院校及企業(yè)做物質磁性或檢測實驗,應用于材料、電子、生物、醫(yī)療、航空航天等領域。

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錦正茂一維亥姆霍茲線圈  錦正茂科技有限公司擁有自己的磁場開發(fā)團隊,在亥姆霍茲線圈的設計方面具有豐富的經驗,生產的亥姆霍茲線圈及高穩(wěn)定性電源(10PPM)的質量和穩(wěn)定性具有其它廠家*的*性??蔀槟峁┮痪S,二維和三維的亥姆霍茲線圈,目前相繼開發(fā)設計出:圓形、方形、和八邊形亥姆霍茲線圈,同時借助有限元設計工具,開發(fā)了補償式八邊形亥姆霍茲線圈,將線圈均勻區(qū)提高了八倍。所涉及的線圈可以是固定的,也可以是旋轉的,所產生的磁場的范圍可以從幾百nT到上千高斯,磁場的均勻度在均勻區(qū)內可以高達到萬分之一。您可以將您的要求反饋給我們,我們可以根據您的設計要求進行仿真計算設計。所有特殊的安裝要求應該在應用中注明。相信我們*的技術,*設計思想和我們*的制造工藝能給您提供滿意的產品和上等的服務。

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一維方形亥姆霍茲線圈JF1200

技術指標:

● 線圈內空直徑約145mm,線圈外直徑約240mm;

● 線圈繞線線徑1.5mm,線圈電阻3歐姆;

● 線圈輸入電流5A時,對應線圈中心磁場不低于100Gs;

● 線圈均勻度1%時,對應線圈中心均勻區(qū)域大小優(yōu)于40*40*40mm;

● 線圈均勻度0.5%時,對應線圈中心均勻區(qū)域大小優(yōu)于32*32*32mm。



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