工藝設(shè)備腔體內(nèi)的真空度是一方面要滿足輝光放電的起輝條件，另一方面避免粒子碰撞過多導致動量損失。等離子體化學氣相沉積、磁控濺射、干法刻蝕等工藝設(shè)備，都是先給個電壓讓腔體內(nèi)反應氣體離化，形成腔體內(nèi)等離子體通路和外部電極的電流回路。如果氣壓過低也就是粒子太少，內(nèi)部電流通路就無法形成，無法輝光自持。如果氣壓過高，等離子體在向樣品表面移動過程中粒子碰撞，發(fā)生動量的方向發(fā)散和大小損失，也能影響起輝（撞不開了），對干刻速率等工藝效果有影響。

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